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集微网消息 根据经济日报报道，6月21日，台积电在上海召开年度技术论坛。在论坛上，台积电宣布将推出面向汽车的N3AE和N3A制程，以及面向射频的N4PRF制程。

此次台积电上海技术论坛的召开，目的是为了进一步加强与境内厂商的合作，降低如美国新规等外在因素对于台积电与境内客户之间正常合作的影响。即明确对于在非实体清单内的国内客户可以不受影响的正常代工合作。目前境内已经有若干客户在采用台积电3nm工艺代工。不过，未来涉及GAA的制程可能存在影响。因为美方有限制GAA相关EDA。

N3是台积电3nm最初版本，号称对比N5同等功耗性能提升10到15%、同等性能功耗降低25到30%，逻辑密度达提升了70%，SRAM 密度提升了20%，类比密度提升了10%。

N3E修复了N3各种缺陷，设计指标也有所放宽，对比N5同等功耗性能提升15到20%、同等性能功耗降低30到35%，逻辑密度约1.6倍，芯片密度约1.3倍。

根据台积电最新披露的资料，N3E相比N3将带来5%左右的性能提升；而后续的N3P相比N3E则将带来4%的密度提升，10%的性能提升；N3X相比N3P将带来4%的密度提升，15%的性能提升。

随着汽车产业向自动驾驶方向发展，运算需求正在快速增加，且需要最先进的逻辑技术。到 2030 年，台积电预计 90% 的汽车将具备先进驾驶辅助系统（ADAS），其中 L1、L2 和 L2+/L3 将有望分别达到 30% 的市场占有率。

在过去三年，台积电推出了汽车设计实现平台（ADEP），透过提供领先业界、Grade 1 质量认证的 N7A 和 N5A 工艺来实现客户在汽车领域的创新。为了让客户在技术成熟前就能预先进行汽车产品设计，台积电推出了 AutoEarly，作为提前启动产品设计并缩短上市时间的垫脚石。